W24512A
64K
×
8高速CMOS静态RAM
概述
该W24512A是一款高速，低功耗CMOS静态RAM组织为65536
×
8比特
运行在一个单一的5伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
高速存取时间： 15/20/25/35纳秒（最大）
低功耗：
主动： 500毫瓦（典型值）。
+ 5V单电源供电
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚300密耳SOJ ，
裸泳， 450万SOP ，和标准型
1 TSOP
销刀豆网络gurations
框图
V
DD
NC
NC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A1 0
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
A0
.
.
A15
解码器
CORE
C 0重
ARRAY
CS2
CS1
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
引脚说明
符号
A0A15
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
NC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
-1-
出版日期： 1999年3月
修订A7
W24512A
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
15
CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH
I / O = 0 mA时，周期=分钟。
占空比= 100 ％
20
25
35
分钟。
-0.5
+2.2
-10
-10
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+10
+10
单位
V
V
A
A
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
0.4
-
200
160
160
140
30
10
V
V
mA
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB
1
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
周期=分钟，占空比= 100 ％
CS1
≥
V
DD
-0.2V或
CS2
≤
0.2V
-
-
-
-
-
-
mA
mA
注：典型特征是在V
DD
= 5V ，T
A
= 25° C.
-2-
W24512A
电容
(V
DD
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
热阻
参数
结到外壳热阻
结到环境的热
阻力
符号。
条件
A. F. R. = 1米/秒，T
A
= 25° C
A. F. R. = 1米/秒，T
A
= 25° C
马克斯。
20
60
单位
° C / W
° C / W
θ
JC
θ
JA
注：这些参数只适用于"TSOP"和"SOJ"封装类型。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3V
5纳秒
1.5V
C
L
= 30 pF的，我
OH
/I
OL
= -4毫安/ 8毫安
条件
AC测试负载和波形
R1 480欧姆
R1 480欧姆
5V
产量
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
5 pF的
R2
255欧姆
INCLUDING
夹具
范围
R2
255欧姆
（对于T
CLZ1,
T
CLZ2,
T
OLZ ，
T
CHZ1,
T
CHZ2,
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T
OW
)
3.0V
90%
10%
5纳秒
10%
90%
0V
5纳秒
-3-
出版日期： 1999年3月
修订A7
W24512A
64K
×
8高速CMOS静态RAM
概述
该W24512A是一款高速，低功耗CMOS静态RAM组织为65536
×
8比特
运行在一个单一的5伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
高速存取时间： 25纳秒（最大）
低功耗：
主动： 800毫瓦（最大）
+ 5V单电源供电
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚300密耳SOJ ， 450
万SOP ，标准型1 TSOP
(8 mm
×
20 mm)
销刀豆网络gurations
框图
V
DD
NC
NC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A1 0
CS1
I / O 8
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
V
SS
A0
.
.
A15
解码器
CORE
ARRAY
CS2
CS1
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
引脚说明
符号
A0A15
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
NC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
32-pin
TSOP
-1-
出版日期： 1997年4月
修订A3
W24512A
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD
CS1 = V
IH （ MIN 。 ）
or
CS2 = V
IL （MAX ）。
or
OE = V
IH （ MIN 。 ）
or
WE = V
IL （MAX ）。
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
CS1 = V
IL （MAX ）。
,
CS2 = V
IH （ MIN 。 ）
I / O = 0毫安，周期=分钟
占空比= 100 ％
CS1 = V
IH （ MIN 。 ）
or
CS2 = V
IL （MAX ）。
周期= MIN ，占空比= 100 ％
CS1
≥
V
DD
-0.2V或
CS2
≤
0.2V
分钟。
-0.5
+2.2
-10
-10
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+10
+10
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
0.4
-
160
V
V
mA
待机功耗
电源电流
I
SB
-
-
30
mA
I
SB1
-
-
10
mA
注：典型特征是在V
DD
= 5V ，T
A
= 25° C.
-2-
