怀特电子设计
2Mx32 5V闪存模块
特点
90访问时间，120，为150ns
包装：
66针， PGA类型， 1.185"广场，密封
陶瓷HIP （ 401包） 。
68引线，密封CQFP （ G2U ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）
正方形（ 510包） 3.56毫米（ 0.140" ）的高度。
专为科幻吨JEDEC 68导致0.990" CQFJ
足迹（图3）
部门架构
按每个2Mx8 64K字节的32大小相等的行业
芯片
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
最少100,000次写/擦除周期最短
组织为2Mx32
WF2M32-XXX5
商业，工业，军事
温度范围
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS
数据＃投票和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
RESET ＃引脚复位内部状态机的
阅读模式。
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行，独立电源和
接地层，以提高抗噪性能
*本产品如有变更，恕不另行通知。
注：编程信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
图1 - 引脚配置WF2M32 ， XHX5
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE
2#
CS
2#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1#
A
19
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
17
WE
1#
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
A
20
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4#
WE
4#
I / O
27
A
4
A
5
A
6
WE
3#
CS
3#
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
OE ＃
A
0
-
20
引脚说明
56
I/O0-31
A0-20
WE1-4#
CS1-4#
OE ＃
VCC
GND
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
框图
WE1 ＃ CS1 ＃
WE2 ＃ CS2 ＃
WE3 ＃ CS3 ＃
WE4 ＃ CS4 ＃
A
3
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
66
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
RESET ＃内部连接到V
CC
在HIP包这个针连接
组fi guration 。请参阅备用引脚CON组fi guration与RESET ＃绑脚
12复位系统控制（图10 ，第11页） 。
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WF2M32-XXX5
图2 - 引脚配置WF2M32 ， XG2UX5
顶视图
RESET＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3#
GND
CS4#
WE1#
A6
A7
A8
A9
A10
V
CC
引脚说明
I/O0-31
A0-20
WE1-4#
CS1-4#
OE ＃
VCC
GND
RESET＃
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
RESET
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
框图
WE1 ＃ CS1 ＃
RESET＃
OE ＃
A
0-20
2M ×8
2M ×8
WE2 ＃ CS2 ＃
WE3 ＃ CS3 ＃
WE4 ＃ CS4 ＃
V
CC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1#
OE ＃
CS2#
A17
WE2#
WE3#
WE4#
A18
A19
A20
2M ×8
2M ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
该WEDC 68领先G2U CQFP网络LLS相同的网络连接T和功能的
JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。但G2U有TCE和铅
检查优势CQFP形式。
0.940"
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（扩展温度）
数据保留
符号
V
T
P
T
T
英镑
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
WF2M32-XXX5
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的
参数
OE ＃电容
WE1-4 ＃电容
HIP （ PGA ）
HIP （备用的引脚）
CQFP G4T
CQFP G2U
G2U （备用的引脚）
CS1-4 ＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
COE
CWE
CWE
CWE
CWE
CWE
CCS
CI / O
CAD
最大
50
20
50
50
20
50
20
20
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号最小值
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
-
-
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时， RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
160
240
8.0
0.45
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
0.85xV
CC
3.2
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率
相关的组件（ @ 5MHz的） 。的频率成分一般小于
2毫安/兆赫，与OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
RESET＃脉冲宽度（ 5 ）
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
90
0
45
0
45
0
45
20
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
WF2M32-XXX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
300
15
0
50
44
256
t
OEH
t
RP
10
500
10
500
0
50
300
15
0
50
44
256
10
500
300
15
44
256
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
5. RESET ＃内部连接到V
CC
在HIP包的默认引脚CON组fi guration 。
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址输出保持， CS ＃或OE ＃
变化，无论是科幻RST
RST低到读模式（ 1,2 ）
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
准备
民
90
-90
最大
90
90
40
20
20
0
20
0
20
民
120
-120
最大
120
120
50
30
30
0
20
民
150
-150
最大
150
150
55
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
注意事项：
1.由设计保证，未经测试。
2. RESET ＃内部连接到V
CC
在HIP包的默认引脚CON组fi guration 。
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V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF2M32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
90
0
45
0
45
0
45
20
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
300
15
0
44
256
t
OEH
10
10
0
300
15
0
44
256
10
300
15
44
256
图3 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
Tester Impedance Z0 = 75 ½.
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
图4 - 复位时序图
RESET＃
t
RP
t
准备
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