怀特电子设计
WMF512K8-XXX5
512Kx8单片闪存， SMD 5962-96692
特点
60的访问时间， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
包装
?? 32针，全封闭陶瓷， 0.600 ＆ QUOT ; DIP
（ 300包）
?? 32铅，密封陶瓷， 0.400 ＆ QUOT ; SOJ
（ 101包）
?? 32针，矩形陶瓷无引线芯片
载体（套餐601 ）
?? 32引线扁平封装（封装220 ）
百万擦除/编程周期最短
扇区擦除架构
8个大小相等的各64K字节扇区
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
组织为512Kx8
商用，工业和军用温度
范围
5伏编程。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
页编程操作和内部程序
控制时间。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程4M5应用笔记。
本产品如有更改，恕不另行通知。
引脚CON组fi guration对于WMF512K8 ， XXX5
32 DIP
32 CSOJ
32 FLATPACK
引脚CON组fi guration对于WMF512K8 ， XCLX5
32 CLCC
顶视图
A12
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
WE＃
A15
A16
A18
V
CC
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
引脚说明
A
0
-
18
I / O
0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
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2005年11月
启示录6
1
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I/O6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
A17
V
CC
怀特电子设计
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压（V
CC
) (1)
信号电压范围（除A9任何引脚） （ 2 ）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力 - 擦除/编程周期（MIL温度）
A9电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20
100000分钟
-2.0至14.0
单位
°C
V
V
°C
°C
岁月
周期
V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A9电压部门保护
WMF512K8-XXX5
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。在电压转换，输入
可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。在最大直流电压
输出I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输出可能会过冲
到Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9可
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。在A9最大直流输入电压
+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间最多为20ns 。
电容
T
A
= +25°C
参数
地址输入电容
输出使能容
写使能电容
片选电容
数据I / O容量
符号
CAD
COE
CWE
CCS
CI / O
条件
最大单位
VI / O = 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
VI / O = 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
50
60
1.6
0.45
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
0.85× V
CC
3.2
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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2
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怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
WMF512K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
11
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
-60
民
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
-70
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
-90
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
-120
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
11
最大
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
64
64
64
64
64
美国证券交易委员会
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
典型值
VIL = 0 ， VIH = 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据＃投票。
WMF512K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
-60
民
60
0
40
0
40
0
40
20
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ms
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
300
15
t
VCS
t
OES
t
OEH
0
50
11
0
10
64
0
10
0
50
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
11
64
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
-60
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃变化输出保持，
取其科幻RST
注意事项：
1.设计保证，但未经测试
-70
最大
民
70
60
60
35
20
20
70
70
35
20
20
0
最大
-90
民
90
90
90
35
20
20
0
最大
-120
民
120
120
120
50
30
30
0
最大
-150
民
150
150
150
55
35
35
0
最大
单位
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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2005年11月
启示录6
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
AC波形进行读操作
t
RC
地址
t
加
CS ＃
地址稳定
WMF512K8-XXX5
t
DF
OE ＃
t
OE
WE＃
t
CE
t
OH
高Z
输出
高Z
输出有效
写/擦除/编程操作， WE＃控制
数据＃投票
地址
5555H
t
WC
CS ＃
t
GHWL
OE ＃
t
WP
WE＃
t
CS
t
WPH
t
DH
数据
t
DS
t
OH
A0H
PD
t
OE
t
DF
t
WHWH1
t
AS
PA
t
AH
PA
t
RC
I / O
7
#
I / O
OUT
5.0 V
t
CE
注意事项：
1. PA指的是存储单元的地址进行编程。
2. PD为字节地址进行编程的数据。
3. I / O
7
＃是写入到设备中的数据的补码的输出。
4. I / O
OUT
是写入到设备中的数据的输出。
图5表示最后两个公交四总线周期序列的周期。
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启示录6
5
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