WS27C256L
军事32K ×8 CMOS EPROM
主要特点
高性能CMOS
- 120 ns访问时间
陶瓷无引线芯片载体（ CLLCC ）
EPI处理
- 闭锁抗扰度在200 mA
- ESD保护超过2000伏特
快速编程
DESC SMD 5962-86063号
300军用DIP或标准600英里DIP
JEDEC标准的引脚配置
概述
该WS27C256L是面向256K紫外线可擦除电可编程只读存储器性能
组织为32K字× 8位/字。它采用先进的CMOS技术，使它能够制造
在运行速度高达120纳秒。内存的设计采用节水灌溉的专利的自对准分栅
EPROM的细胞，从而产生具有非常符合成本效益的管芯尺寸的低功率器件。
该WS27C256L 256K EPROM提供的8位宽的代码存储容量DSP ，微处理器32K ，和
基于微控制器的系统中。它在整个军用温度范围内120纳秒访问时间提供
的电势无等待状态的操作。并且其中该参数是很重要的，该WS27C256L提供与用户
一个非常快35纳秒牛逼
OE
输出使能时间。
该WS27C256L采用28引脚300密耳瘦陶瓷浸渍或标准的600万CERDIP提供，以及在一
32片陶瓷无引线芯片载体（ CLLCC ）表面贴装应用。所有封装纳入
JEDEC标准的EPROM引脚排列。
引脚配置
顶视图
芯片载体
A
7
A
12
V
PP
NC
V
CC
A
14
A
13
CERDIP
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
1
O
1
O
2
GND
4 3 2
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE / PGM
O
7
O
6
NC
3
O
4
O
5
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
芯片选择时间（最大值）
输出使能时间（最大值）
WS27C256L-12
120纳秒
120纳秒
35纳秒
WS27C256L-15
150纳秒
150纳秒
40纳秒
WS27C256L-20
200纳秒
200纳秒
40纳秒
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4-19
WS27C256L
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
相对于地面...................- 0.6V至+ 14V
V
CC
与电源电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
军事
温度
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
+5V ± 10%
DC读取特性
在整个工作范围。 （见上文）
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流
V
CC
工作电流
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入漏电流
输出漏电流
V
IN
= 5.5 V或GND
V
OUT
= 5.5 V或GND
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400 A
CE = V
CC
± 0.3 V （注2 ）
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
（注1 ）
V
PP
= V
CC
V
CC
–0.4
–10
–10
F = 5兆赫
F = 8 MHz的
3.5
100
1
40
50
100
V
CC
10
10
测试条件
民
–0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
A
V
A
A
注意事项：
1.电源电流I的总和
CC
我
PP
。最大电流值与输出
0
与O
7
卸载。
2， CMOS输入： V
IL
= GND ± 0.3V ，V
IH
= V
CC
± 0.3 V.
AC阅读特点
在整个工作范围（见上文）
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止到输出的浮动
（注3）
输出保持从地址，
CE或OE ，无论发生
第一（注3）
0
WS27C256L-12
民
最大
WS27C256L-15
民
最大
WS27C256L-20
民
最大
单位
120
120
35
35
150
150
40
40
200
200
40
ns
40
t
OH
注意：
0
0
3.此参数仅取样，而不是100％测试。输出的浮动被定义为数据不再驱动点 - 见时机
图。
4-20
WS27C256L
AC读取时序图
V
IH
地址
V
IL
地址有效
V
IH
CE
V
IL
t
CE
V
IH
OE
V
IL
t
加
V
IH
产量
V
IL
高Z
有效的输出
t
DF
t
OE
(4)
t
OH
高Z
(5)
(4)
注意：
4. OE可能会延迟到t
CE
– t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
电容
(5)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(6)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
5.此参数仅取样，而不是100％测试。
6.典型值是在t
A
= 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
820
2.01 V
D.U.T.
2.4
2.0
0.8
TEST
要点
2.0
0.8
100 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
0.4
AC测试输入驱动的2.4 V的逻辑"1"和0.4 V
对于逻辑"0."定时测量是在2.0 V做了
逻辑"1"和0.8 V的逻辑"0" 。
注意：
7.提供足够的去耦电容应尽可能靠近该器件实现了出版的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
4-21
WS27C256L
编程信息
DC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.0 ± 0.25 V, V
PP
= 12.5 ± 0.5 V.见注8 ，第9和10 ）
符号
I
LI
I
PP
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流（V
IN
= V
CC
或GND ）
V
PP
在电源电流
编程脉冲（ CE / PGM = V
IL
)
V
CC
电源电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压时验证（我
OL
= 2.1 mA）的
输出高电压时验证（我
OH
= –400 A)
3.5
–0.1
2.0
民
–10
最大
10
60
40
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
8. V
CC
必须要么巧合或V前申请
PP
并删除或者巧合或V后
PP
.
9. V
PP
必须不大于14伏，包括过冲。在CE / PGM = V
IL
, V
PP
不能从5伏切换
12.5伏，反之亦然。
10.在开机的CE / PGM引脚必须被拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
AC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.0 ± 0.25 V, V
PP
= 12.5 ± 0.5 V)
符号
t
AS
t
COH
t
OES
t
OS
t
AH
t
OH
t
DF
t
OE
t
VS
t
PW
t
在OCx
参数
地址建立时间
CE高到OE高
输出使能设置时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片禁用到输出的浮动延迟
数据有效从输出使能
V
PP
建立时间
PGM脉冲宽度
OE低到CE "Don't Care"
2
500
2
1000
民
2
2
2
2
0
2
0
55
55
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
编程波形
地址
t
AS
数据
t
OS
V
PP
V
PP
V
CC
t
VS
数据稳定
t
OH
高Z
t
OE
解决稳定
t
AH
数据输出
有效
t
DF
V
IH
CE / PGM
V
IL
t
CES
t
在OCx
t
COH
t
PW
V
IH
OE
V
IL
t
OES
4-22
WS27C256L
模式选择
该WS27C256L的操作模式如下所列。采用5 V单电源供电，需要在读
模式。所有的输入是TTL电平，除了V
PP
AND A
9
对于设备签名。
模式
读
输出禁用
待机
程序设计
程序校验
禁止程序
签名
生产厂家
(13)
设备
(13)
引脚
CE / PGM
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A
9
X
X
X
X
X
X
V
H(12)
V
H(12)
A
0
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP(12)
V
PP(12)
V
PP(12)
V
CC
V
CC
V
CC
5.0 V
5.0 V
5.0 V
5.8 V
5.8 V
5.0 V
5.0 V
5.0 V
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
23 H
C0 ^ h
注意事项：
11. X可以是V
IL
或V
IH
.
12. V
H
= V
PP
= 12.5 ± 0.5 V.
13. A
1
– A
8
, A
10
– A
14
= V
IL
.
订购信息
产品型号
WS27C256L-12CMB
*
WS27C256L-12DMB
*
WS27C256L-12TMB
*
WS27C256L-15DMB
*
WS27C256L-15TMB
*
WS27C256L-20DMB
*
速度
（纳秒）
120
120
120
150
150
200
包
TYPE
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
28引脚CERDIP ， 0.6"
WSI
封装工作
拉伸温度制造
范围
程序
C2
D2
T2
D2
T2
D2
军事
军事
军事
军事
军事
军事
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
注意：
实际零件标记将不包括缩写"WS."
*
SMD产品。对于SMD数请参见第4-1页。
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS27C256L使用算法C 5-7页上显示编程。
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4-23
