VFCP系列（ 0805 ， 1206 ， 1506 ， 2010 ， 2512 ） （ Z箔）
Vishay箔电阻
超高精度Z箔倒装芯片电阻与TCR
为± 0.05 PPM / ° C， 35 ％，节省空间与
环绕式设计和5ppm的PCR额定功率
特点
电阻的温度系数（TCR ） ：
± 0.05 PPM / ° C典型值（ 0 ° C至+ 60 ° C）
无铅
可用的
± 0.2 PPM / ° C典型值（ - 55 ° C至+ 125°C ，
+
25℃参考。 ）
RoHS指令*
公差： ±0.01％ （ 100 ppm）
柔顺
功率系数“ ΔR ，由于自加热”
5 ppm额定功率
负载寿命稳定性（ 70℃ 2000小时） ：
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
额定功率： 600毫瓦，在+ 70°C
上述25 000 V的静电放电（ ESD ）
电阻范围： 10Ω 150 kΩ的（较低和较高的
值，请与我们联系）
无电感，无电容设计
短时过载
≤
0.005 ％ （ 50ppm以下）
无热点设计
上升时间： 1ns的无振铃
电流噪声： - 40分贝
电压系数<为0.1ppm / V
无感： < 0.08 μH
终端饰面可供选择：铅（Pb ） - 免费
锡/铅合金
配套装置可根据客户要求
电阻范围内提供的任何值（例如1K2345 ）
原型样品已可提供48个小时。欲了解更多
详情请联系foil@vishay.com
为了获得更好的性能，请与我们联系
底部视图
在电阻容差范围内可任意值
介绍
其中最重要的参数影响稳定的
电阻的温度系数（TCR） 。虽然
大宗金属的TCR
箔电阻极为认为
低，这一特点得到了进一步细化过
年。
该VFCP系列采用超高精度Bulk金属
Z箔。
的Z箔技术提供了一种显著减少到
电阻元件的灵敏度，以环境温度
变化（TCR ）和自热通电时
（功率因数） 。
随着固有的低PCR和TCR ， Z箔
技术还提供了显着改善的负载寿命
stablility ，低噪音和严格的公差可用性。
IM
PR
O
VE
D
倒装芯片结构提供了大量的PCB
节省空间的35％以上，相对于表面安装的芯片
与环绕式端接。该VFCP是在任何可用的
指定电阻范围内的值。
我们的应用工程部门提供给
咨询和提出建议。为非标准
技术要求和特殊应用，请
联系我们。
表1 - 容和TCR VS
电阻值
公差
(%)
± 0.01
额定功率的百分比
RESISTANCEVALUE
(Ω)
250 150K
典型TCR和
MAX 。 SPREAD
（ - 55 ° C至+ 125°C ，
+ 25°C参考）
± 0.2 ± 1.6
100 < 250
50至< 100
25 < 50
10 < 25
± 0.02
± 0.2 ± 1.6
± 0.05
± 0.1
± 0.25
± 0.2 ± 1.8
± 0.2 ± 2.8
± 0.2 ± 2.8
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 63106
修订： 28军07
如有任何疑问，请联系： foil@vishay.com
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1
PR
O
DU
CT
应用
自动测试设备（ ATE ）
高精密仪器
实验室，工业和医疗
音频
EB的应用程序（电子束扫描和记录
设备，电子显微镜）
军事和航天
空降
井下仪器
通讯
图1 - 功耗降低曲线
- 55 °C
100
75
50
25
0
- 75
+ 70 °C
- 50
- 25
0
+ 25
+ 50
+ 75 + 100 + 125 + 150 + 175
环境温度（ ℃）
VFCP系列（ 0805 ， 1206 ， 1506 ， 2010 ， 2512 ） （ Z箔）
Vishay箔电阻
超高精度Z箔倒装芯片电阻与TCR
为± 0.05 PPM / ° C， 35 ％，节省空间与
环绕式设计和5ppm的PCR额定功率
表2 - DSCC规格
（ Vishay的电阻都列在下面DSCC规格）
模型
VFCP1206
DSCC
2009
军用规格
MIL-PRF-55342
记
对于VFCP0805 ， VFCP1506 ， VFCP2010和VFCP2512 DSCC图纸，请联系foil@vishay.com
图2 -TRIMMING将值
（概念图）
Interloop电容
减少系列
互感
由于减少
若要更改
电流方向
注意：
如图箔
黑，
在蚀刻的空间
白
表3 - 规格参数
芯片
SIZE
0805
1206
评级
动力
（ mW）的
AT + 70°C
100毫瓦
250毫瓦
最大
电压
等级
(≤
P
×
R
)
34 V
86 V
阻力
范围（ μ ）
10 12K
10 30K
10 40K
最大
重量
（毫克）
5.2
10.3
12
IM
PR
O
VE
D
1506
2010
300毫瓦
400毫瓦
109 V
200 V
10 10万
10 150K
25
35
2512
600毫瓦
220 V
表5 - 表演
测试或条件
MIL-PRF-55342
特性ê
ΔR
范围
± 0.1 %
热冲击
低温操作
短时过载
± 0.1 %
± 0.1 %
高温曝光
± 0.1 %
焊锡耐热性
耐湿性
± 0.2 %
± 0.2 %
负载寿命稳定+ 70℃ 2000小时
在额定功率
± 0.5 %
记
1.如图+ 0.01 W至允许在低的值的测量误差。
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2
如有任何疑问，请联系： foil@vishay.com
文档编号： 63106
修订： 28军07
PR
O
DU
CT
CURRENT PATH
修剪前
CURRENT PATH
修剪后
修剪过程
移除该材料
做空Strip地区
改变当前路径
并增加
阻力
表4 - 负载寿命稳定
（ + 70℃ 2000小时）
芯片尺寸
0805
1206
1506
2010
2512
最大
ΔR
范围
± 0.005％ ，在50毫瓦
± 0.01％ ，在100毫瓦
± 0.005 ％，在150毫瓦
±0.01％ ，在250毫瓦
± 0.005 ％，在150毫瓦
± 0.01％ ，在300毫瓦
± 0.005 ％ ，在200mW的
± 0.01％ ，在400毫瓦
± 0.005 ％，在500毫瓦
± 0.01％ ，在600毫瓦
典型
ΔR
范围
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
± 0.01％ （ 100ppm以下）
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
± 0.005 ％ （ 50ppm以下）
最大
ΔR
范围
1)
± 0.01％ （ 100ppm以下）
± 0.01％ （ 100ppm以下）
± 0.01％ （ 100ppm以下）
± 0.02％ （ 200ppm以下）
= 0.015 ％ （ 150 ppm）
± 0.02％ （ 200ppm以下）
± 0.01％ （ 100ppm以下）
VFCP系列（ 0805 ， 1206 ， 1506 ， 2010 ， 2512 ） （ Z箔）
超高精度Z箔倒装芯片电阻与TCR
Vishay箔电阻
为± 0.05 PPM / ° C， 35 ％，节省空间与
环绕式设计和5ppm的PCR额定功率
表6 - 尺寸及模式
以英寸（毫米）
底部视图（显示为安装终端）
D
焊接端子
土地模式
W
W1 [W - 0.003" ]
L - 0.005 (0.13)
L
芯片
SIZE
0805
1206
1506
2010
2512
L
± 0.005 (0.13)
0.079 (2.01)
0.126 (3.20)
0.150 (3.81)
0.200 (5.08)
0.250 (6.35)
W
± 0.005 (0.13)
0.049 (1.24)
0.062 (1.57)
0.062 (1.57)
0.100 (2.54)
0.126 (3.20)
厚度
最大
0.025 (0.64)
0.025 (0.64)
0.025 (0.64)
0.025 (0.64)
0.025 (0.64)
记
1.焊盘图案尺寸是按照IPC -782
IM
PR
O
VE
D
图3 - 芯片配置
高纯度的氧化铝基板
电阻
体积
金属箔
SOLDER
防护涂层
文档编号： 63106
修订： 28军07
如有任何疑问，请联系： foil@vishay.com
PR
O
DU
CT
G
X
Z
D
Z
1)
G
1)
X
1)
± 0.005 (0.13)
0.010 (0.25)
0.015 (0.38)
0.012 (0.30)
0.020 (0.51)
0.024 (0.61)
最大
最低
最大
0.078 (1.98)
0.125 (3.18)
0.150 (3.81)
0.199 (5.05)
0.250 (6.35)
0.053 (1.35)
0.090 (2.29)
0.120 (3.05)
0.153 (3.89)
0.196 (4.98)
0.049 (1.24)
0.062 (1.57)
0.062 (1.57)
0.100 (2.54)
0.126 (3.20)
图4 - 典型TCR曲线Z箔
（有关详细信息，请参阅表1 ）
+ 500
+ 400
+ 300
+ 200
+ 100
ΔR
0
R
（ PPM ）
- 100
- 200
- 300
- 400
- 500
- 55
- 25
0
+ 25
+ 60 + 75
+ 100 + 125
- 0.16 PPM /°C的
0.05 PPM /°C的
- 为0.1ppm / ℃，
0.1 PPM /°C的
0.14 PPM /°C的
0.2 PPM /°C的
环境温度（ ℃）
记
的TCR值< 100Ω被终止的影响
从这个曲线组成和结果的偏差
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3
VFCP系列（ 0805 ， 1206 ， 1506 ， 2010 ， 2512 ） （ Z箔）
Vishay箔电阻
超高精度Z箔倒装芯片电阻与TCR
为± 0.05 PPM / ° C， 35 ％，节省空间与
环绕式设计和5ppm的PCR额定功率
表7 - 全球产品编号信息
新的GLOBAL部件号： Y162910K0000T9W （首选零件编号格式）
表示PRECISION
Y
价值
R
=
Ω
K
= kΩ
AER *
0
标准
9
=铅（Pb ） - 免费
1 - 999
=自定义
Y
1
6
2
9
1
0
产品编号
1629
= VFCP0805
1630
= VFCP1206
1631
= VFCP1506
1632
= VFCP2010
1633
= VFCP2512
电阻容差
T
= ± 0.01 %
Q
= ± 0.02 %
A
= ± 0.05 %
B
= ± 0.10 %
C
= ± 0.25 %
D
= ± 0.50 %
F
= ± 1.00 %
例如：上述全球订单Y1629 10K0000牛逼9 W：
类型： VFCP0805
VALUE ： 10.0千欧
绝对公差： ± 0.01 ％
终止：铅（Pb ） - 免费
包装：包华夫
历史部分号码： VFCP0805 10K000 TCR0.2 TSW （将继续被使用）
VFCP0805
模型
VFCP0805
VFCP1206
VFCP1506
VFCP2010
VFCP2512
10K000
欧姆值
10.0 kΩ
TCR0.2
TCR
特征
T
IM
PR
O
VE
D
记
*对于非标准的要求，请联系应用工程。
www.vishay.com
4
如有任何疑问，请联系： foil@vishay.com
PR
O
DU
CT
K
0
0
0
0
T
9
W
包装
R
=卷带式
W
=华夫格包
S
W
阻力
公差
T
= ± 0.01 %
Q
= ± 0.02 %
A
= ± 0.05 %
B
= ± 0.10 %
C
= ± 0.25 %
D
= ± 0.50 %
F
= ± 1.00 %
终止
包装
S
=铅（Pb ） - 免费
B
=锡/铅
T
=卷带式
W
=华夫格包
文档编号： 63106
修订： 28军07
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日前，Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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