ZNBG2000
ZNBG2001
场效应管偏置控制器
设备描述
该ZNBG系列器件设计用于满足
GaAs和HEMT FET的偏置要求
在卫星接收机的LNB常用，风湿性多肌痛，
蜂窝式电话等具有最小的外部
组件。
用加入了两个电容器和一个电阻器的
设备提供的漏极电压和电流控制为
2外部接地源场效应管，产生的
需要FET的栅极偏置稳压负轨
而从单电源工作。这种负
偏压，在-3伏，也可用于提供其他
外部电路。
该ZNBG2000 / 1中包含两个偏置阶段。单一
电阻允许FET的漏极电流被设置为
所希望的水平。该系列还提供的选择
漏极电压的FET的设定，所以ZNBG2000
提供2.2伏漏而ZNBG2001给2
伏。
这些器件在整个无条件稳定
在地方工作温度场效应管，主题
对列入推荐的栅极和漏极的
电容器。这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制，未使用的排水和补
门连接可能被置于开路无
影响其余的偏压电路的操作。
为了保护外部FET电路有
被设计为确保在任何条件下
包括电/掉电瞬变，栅极驱动器
从偏置电路不能超过该范围-3.5V
到0.7V 。此外，如果负轨经历
故障状态，如过载或短路时，
排水供给到各FET将关闭，避免
过大的电流流动。
该ZNBG2000 / 1在MSOP10封装
对于最小的器件尺寸。器件工作
温度为-40 ℃80℃ ，以适应范围广泛的
环境条件。
特点
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达两个FET
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成只需要2
外部电容器
应用
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
单进单出C波段LNB
移动电话
选择在漏极电压
宽电源电压范围
MSOP表面贴装封装
第1期 - 2001年8月
1
ZNBG2000
ZNBG2001
绝对最大额定值
电源电压
电源电流
漏电流（每FET ）
（由R设定
CAL1
和R
CAL2
)
-0.6V至15V
100mA
0至15mA
输出电流
工作温度
储存温度
100mA
-40 ℃80℃
-40到85°C
500mW
功率耗散（T
AMB 25℃ ）
MSOP10
电气特性测试条件（除非另有
符号参数
条件
民
V
CC
I
CC
V
子
E
ND
E
NG
f
O
电源电压
电源电流
衬底电压
（内部产生）
输出噪声
漏极电压
栅极电压
振荡器的频率。
I
D1
我
D2=0
I
D1
我
D2
=10mA
I
子
= 0
I
子
= -200A
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
150
330
-3.5
5
5
24
-2.8
范围
典型值
最大
12
10
30
-2
-2
0.02
0.005
800
单位
V
mA
mA
V
V
中Vpkpk
中Vpkpk
千赫
排水特性
I
DO
I
D
I
DV
I
DT
V
D
输出电流范围
当前
电流变化
随着V
CC
以T
j
电压
V
CC
= 5 12V
T
j
= -40 + 80°C
ZNBG2000我
D1
我
D2
=10mA
ZNBG2001
2
1.8
0.5
0.05
2.2
2
2.4
2.2
%/V
%/°C
V
V
设置由R
CAL1
0
8
10
15
12
mA
mA
电压变化
V
DV
V
DT
随着V
CC
以T
j
V
CC
= 5 12V
T
j
= -40 + 80°C
0.5
50
%/V
PPM
GATE特性
I
GO
V
OL
输出电流范围
输出电压
输出低
I
D1
IG1
我
D2
=12mA
我
G2
=0
-3.5
-3.5
0.4
-2
-2
1
V
V
V
-40
2000
A
I
D1
我
D2
=12mA
I
G1
我
G2
= -10A
V
OH
输出高
I
D1
我
D2
= 8毫安
I
G1
我
G2
= 0
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
47nF的，都需要这种
目的。
2.特点是使用外部基准电阻R上测得
CAL1
价值16kΩ从脚有线
CAL1
到地面。
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容代替对所有输出。
G
， 4.7nF ，分别连接栅极和输出之间
第1期 - 2001年8月
2
ZNBG2000
ZNBG2001
典型应用电路
应用
16k
信息
以上是对ZNBG的部分应用电路
系列显示所有外部组件所需
适当的偏压。所述偏置电路
在整个温度绝对稳定
范围与相关联的场效应晶体管和栅极与漏极
电容在电路中。
用电容器C
D
和C
G
确保剩余权力
电源和基底噪声发生器不允许
会影响到其他外部电路可以是
敏感的RF干扰。他们还起到
抑制之间的任何潜在的RF馈通
通过ZNBG设备阶段。这些电容
需要使用的各个阶段。 10nF电容和4.7nF的价值观
分别然而，这个建议是
取决于设计和1nF的和之间的任何值
100nF的也可以使用。
电容器C
NB
和C
子
是不可或缺的一部分
在ZNBGs负电源发生器。负
偏压使用内部片上产生的
振荡器。的电容器C中的要求值
NB
和
C
子
为47nF的。这种发生器产生的低电流
供应约-3伏。虽然这
发电机是纯粹旨在偏压外部
场效应管，它可以用于驱动其他外部电路
通过C
子
引脚。
电阻R
CAL1
设置的漏极电流在其中所有
外部FET进行操作。如果有任何偏置控制电路
不是必需的，其相关的漏极和栅极连接
可以留开路，而不会影响
剩余的偏压电路的操作。如果所有的场效应管
用电流设定电阻被省略有关，
具体
CAL
还是应该被包括在内。该
电源电流可以减少，如果需要的话，通过使用一个
高值R
CAL
电阻（例如470K ） 。
该ZNBG设备已被设计用来保护
外部FET，从不利的工作条件。
与连接到任何偏置电路中的JFET ，栅极
偏置电路的输出电压不能超过
范围-3.5V至0.7V ，在任何条件下，包括
上电和断电瞬间。如若
负偏压发生器短路或过载使
该外部FET的漏极电流可无
长来控制，漏极供给到场效应晶体管被关
下来，以避免损坏FET的过度
漏极电流。
下图显示了ZNBG2000 / 1
典型的LNB应用。
8
第1期 - 2001年8月
5
ZNBG2000
ZNBG2001
场效应管偏置控制器
设备描述
该ZNBG系列器件设计用于满足
GaAs和HEMT FET的偏置要求
在卫星接收机的LNB常用，风湿性多肌痛，
蜂窝式电话等具有最小的外部
组件。
用加入了两个电容器和一个电阻器的
设备提供的漏极电压和电流控制为
2外部接地源场效应管，产生的
需要FET的栅极偏置稳压负轨
而从单电源工作。这种负
偏压，在-3伏，也可用于提供其他
外部电路。
该ZNBG2000 / 1中包含两个偏置阶段。单一
电阻允许FET的漏极电流被设置为
所希望的水平。该系列还提供的选择
漏极电压的FET的设定，所以ZNBG2000
提供2.2伏漏而ZNBG2001给2
伏。
这些器件在整个无条件稳定
在地方工作温度场效应管，主题
对列入推荐的栅极和漏极的
电容器。这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制，未使用的排水和补
门连接可能被置于开路无
影响其余的偏压电路的操作。
为了保护外部FET电路有
被设计为确保在任何条件下
包括电/掉电瞬变，栅极驱动器
从偏置电路不能超过该范围-3.5V
到0.7V 。此外，如果负轨经历
故障状态，如过载或短路时，
排水供给到各FET将关闭，避免
过大的电流流动。
该ZNBG2000 / 1在MSOP10封装
对于最小的器件尺寸。器件工作
温度为-40 ℃80℃ ，以适应范围广泛的
环境条件。
特点
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达两个FET
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成只需要2
外部电容器
应用
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
单进单出C波段LNB
移动电话
选择在漏极电压
宽电源电压范围
MSOP表面贴装封装
第1期 - 2001年8月
1
ZNBG2000
ZNBG2001
绝对最大额定值
电源电压
电源电流
漏电流（每FET ）
（由R设定
CAL1
和R
CAL2
)
-0.6V至15V
100mA
0至15mA
输出电流
工作温度
储存温度
100mA
-40 ℃80℃
-40到85°C
500mW
功率耗散（T
AMB 25℃ ）
MSOP10
电气特性测试条件（除非另有
符号参数
条件
民
V
CC
I
CC
V
子
E
ND
E
NG
f
O
电源电压
电源电流
衬底电压
（内部产生）
输出噪声
漏极电压
栅极电压
振荡器的频率。
I
D1
我
D2=0
I
D1
我
D2
=10mA
I
子
= 0
I
子
= -200A
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
C
G
= 4.7nF ，C
D
=10nF
150
330
-3.5
5
5
24
-2.8
范围
典型值
最大
12
10
30
-2
-2
0.02
0.005
800
单位
V
mA
mA
V
V
中Vpkpk
中Vpkpk
千赫
排水特性
I
DO
I
D
I
DV
I
DT
V
D
输出电流范围
当前
电流变化
随着V
CC
以T
j
电压
V
CC
= 5 12V
T
j
= -40 + 80°C
ZNBG2000我
D1
我
D2
=10mA
ZNBG2001
2
1.8
0.5
0.05
2.2
2
2.4
2.2
%/V
%/°C
V
V
设置由R
CAL1
0
8
10
15
12
mA
mA
电压变化
V
DV
V
DT
随着V
CC
以T
j
V
CC
= 5 12V
T
j
= -40 + 80°C
0.5
50
%/V
PPM
GATE特性
I
GO
V
OL
输出电流范围
输出电压
输出低
I
D1
IG1
我
D2
=12mA
我
G2
=0
-3.5
-3.5
0.4
-2
-2
1
V
V
V
-40
2000
A
I
D1
我
D2
=12mA
I
G1
我
G2
= -10A
V
OH
输出高
I
D1
我
D2
= 8毫安
I
G1
我
G2
= 0
注意事项：
1.是片上使用内部振荡器生成指定的负偏置电压。两个外部电容，C
NB
和C
子
47nF的，都需要这种
目的。
2.特点是使用外部基准电阻R上测得
CAL1
价值16kΩ从脚有线
CAL1
到地面。
3.噪声电压在生产中不进行测量。
4.噪声电压的测量是用场效应晶体管和栅极与漏极电容代替对所有输出。
G
， 4.7nF ，分别连接栅极和输出之间
第1期 - 2001年8月
2
ZNBG2000
ZNBG2001
典型应用电路
应用
16k
信息
以上是对ZNBG的部分应用电路
系列显示所有外部组件所需
适当的偏压。所述偏置电路
在整个温度绝对稳定
范围与相关联的场效应晶体管和栅极与漏极
电容在电路中。
用电容器C
D
和C
G
确保剩余权力
电源和基底噪声发生器不允许
会影响到其他外部电路可以是
敏感的RF干扰。他们还起到
抑制之间的任何潜在的RF馈通
通过ZNBG设备阶段。这些电容
需要使用的各个阶段。 10nF电容和4.7nF的价值观
分别然而，这个建议是
取决于设计和1nF的和之间的任何值
100nF的也可以使用。
电容器C
NB
和C
子
是不可或缺的一部分
在ZNBGs负电源发生器。负
偏压使用内部片上产生的
振荡器。的电容器C中的要求值
NB
和
C
子
为47nF的。这种发生器产生的低电流
供应约-3伏。虽然这
发电机是纯粹旨在偏压外部
场效应管，它可以用于驱动其他外部电路
通过C
子
引脚。
电阻R
CAL1
设置的漏极电流在其中所有
外部FET进行操作。如果有任何偏置控制电路
不是必需的，其相关的漏极和栅极连接
可以留开路，而不会影响
剩余的偏压电路的操作。如果所有的场效应管
用电流设定电阻被省略有关，
具体
CAL
还是应该被包括在内。该
电源电流可以减少，如果需要的话，通过使用一个
高值R
CAL
电阻（例如470K ） 。
该ZNBG设备已被设计用来保护
外部FET，从不利的工作条件。
与连接到任何偏置电路中的JFET ，栅极
偏置电路的输出电压不能超过
范围-3.5V至0.7V ，在任何条件下，包括
上电和断电瞬间。如若
负偏压发生器短路或过载使
该外部FET的漏极电流可无
长来控制，漏极供给到场效应晶体管被关
下来，以避免损坏FET的过度
漏极电流。
下图显示了ZNBG2000 / 1
典型的LNB应用。
8
第1期 - 2001年8月
5
