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ZX5T853G
100V NPN低SAT中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
顶视图
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZX5T853G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T853G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T853G
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE ( SAT )
21
50
95
180
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
H
FE
100
100
30
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
1020
920
230
200
60
20
130
26
41
1010
300
1k
分钟。
200
200
100
7
典型值。
235
235
115
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
65
125
220
1120
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A, RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=150V
V
CB
=150V,T
AMB
=100 C
V
CB
=150V
V
CB
=150V,T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 0.1A ,我
B
=5mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 2A ,我
B
=100mA*
I
C
= 5A ,我
B
=500mA*
I
C
= 5A ,我
B
=500mA*
I
C
= 5A ,V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 2A ,V
CE
=2V*
I
C
= 5A ,V
CE
=2V*
I
C
= 10A ,V
CE
=2V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V , F = 1MHz的*
I
C
= 1A ,V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T853G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
ZX5T853G
100V NPN低SAT中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
顶视图
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZX5T853G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T853G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T853G
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE ( SAT )
21
50
95
180
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
H
FE
100
100
30
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
1020
920
230
200
60
20
130
26
41
1010
300
1k
分钟。
200
200
100
7
典型值。
235
235
115
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
65
125
220
1120
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A, RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=150V
V
CB
=150V,T
AMB
=100 C
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= 0.1A ,我
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C
= 5A ,V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=2V*
I
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CE
=2V*
I
C
= 5A ,V
CE
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I
C
= 10A ,V
CE
=2V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V , F = 1MHz的*
I
C
= 1A ,V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T853G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
ZX5T853G
100V NPN低SAT中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
顶视图
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZX5T853G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T853G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T853G
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE ( SAT )
21
50
95
180
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
H
FE
100
100
30
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
1020
920
230
200
60
20
130
26
41
1010
300
1k
分钟。
200
200
100
7
典型值。
235
235
115
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
65
125
220
1120
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
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I
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CB
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=6V
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B
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CE
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C
= 10毫安,V
CE
=2V*
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C
= 2A ,V
CE
=2V*
I
C
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CE
=2V*
I
C
= 10A ,V
CE
=2V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V , F = 1MHz的*
I
C
= 1A ,V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T853G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    ZX5T853GTC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ZX5T853GTC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ZX5T853GTC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
ZX5T853GTC
ZETEX
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ZX5T853GTC
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8543
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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电话:0755-23956875\23956877
联系人:陈小姐/陈先生
地址:深圳市福田区华强北路华强广场D栋13B
ZX5T853GTC
ZETEX
2011+
115400
SOT-223
全新原装现货库存热卖
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电话:755-83616256 // 83210909
联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
ZX5T853GTC
ZETEX
22+
37500
SOT-223
【绝对自己现货】100%全新原装正品,欢迎查询!!
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电话:0755-82542579
联系人:董
地址:深圳市福田区华强北路华强广场C座18J
ZX5T853GTC
一级代理
最新批次
34500
一级代理
一级代理放心采购
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电话:0755-18503085056
联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
ZX5T853GTC
ZETEX
20+
26500
SOT-223
全新原装正品,详询18503085056/VX同号
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电话:0755-89367839
联系人:黄
地址:龙岗区平湖街道华南城华利嘉A座603
ZX5T853GTC
ZETEX
19+
34000
原装现货,期货,正品,质量保证
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电话:18927479189
联系人:李
地址:福田区振兴西路109号华康大厦2栋6楼
ZX5T853GTC
ZETEX
22+
6846
SOT原厂原装223
【原装正品现货供应技术支持】
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
ZX5T853GTC
ZETEX
23+
4500
SOT-223
全新原装现货特价销售!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZX5T853GTC
ZETEX
20+
3968
SOT-223
全新原装正品/质量有保证
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