ZX5T853G
100V NPN低SAT中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
顶视图
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZX5T853G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
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100V NPN低SAT中功率低饱和晶体管
采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
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参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
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采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 100V ,R
SAT
= 36米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和100V NPN
晶体管提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
6安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT223
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡( SLIC )
订购信息
设备
ZX5T853GTA
ZX5T853GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T853
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半导体
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
200
100
7
6
10
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
(二)对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2