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详细参数
型号:AO5800E
类别:FET - 阵列
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
封装:SC-89-6,SOT-666
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:400mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 欧姆 @ 400mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 30V
功率_最大:400mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-89-6,SOT-666
供应商设备封装:SC-89-6
包装:带卷 (TR)
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厂 商:AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
描 述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
大 小:156K
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查询更多AO5804供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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