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详细参数

型号：EPC1001

类别：FET - 单

制造商：EPC

封装：模具剖面（11 焊条）

描述：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

系列：eGaN®

FET型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 25A，5V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 5mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 50V

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装__外壳：模具剖面（11 焊条）

供应商设备封装：模具剖面（11 焊条）

包装：剪切带 (CT)

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厂商：ETC [ ETC ]

描述：Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices

大小：552K

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