型号：IPB009N03L G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：0.95 毫欧 @ 100A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：25000pF @ 15V
功率_最大：250W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装：PG-TO263-7
包装：剪切带 (CT)
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS3 Power Transistor
大 小：512K
