型号:IPP600N25N3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:250V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2350pF @ 100V
功率_最大:136W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小:352K