型号:IRFD010
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:4-DIP(0.300",7.62mm)
描述:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 860mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:通孔
封装__外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装:管件
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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