型号:IRFR010
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 4.2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件
厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
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