2N6515详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN 250V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):250V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:45 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
2N6515RLRM详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN 250V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):250V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:45 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
2N6515RLRMG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR GP NPN 250V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):250V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:45 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
2N6517详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN SS GP 350V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
2N6517BU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
2N6517CBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 50mA,10V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-220-3 TERM BARRIER 14CIRC SGL ROW .325
- 配件 Rose Bopla TO-220-3 GM 9 COUNTER NUTS, PLASTIC
- 端子 - 环形 TE Connectivity TO-220-3 CONN RING TONGUE FLAG 2/0AWG
- SCR - 单个 ON Semiconductor TO-220-3 THYRISTOR SCR 25A 800V TO220AB
- 多芯导线 Alpha Wire TO-220-3 2814/2 WHITE 1000 FT
- 模块 - 插孔 TE Connectivity TO-220-3 CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
- 配件 Phoenix Contact TO-220-3 4-WAY SIGNAL DUPLICATOR
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-220-3 TERM BARRIER 19CIRC SGL ROW .325
- 配件 Rose Bopla TO-220-3 GM 11 COUNTER NUTS, PLASTIC
- 带 3M (TC) TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TAPE POLY PROTECTIVE
- 螺钉和螺母驱动器 - 刀片和位 Wiha TO-226-3、TO-92-3 标准主体 DOUBLE END TRI WING BLADE #4-#5
- 配件 Phoenix Contact TO-226-3、TO-92-3 标准主体 4-WAY SIGNAL DUPLICATOR
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TERM BARRIER 26CIRC SGL ROW .325
- 配件 Rose Bopla TO-226-3、TO-92-3 标准主体 GM 11 COUNTER NUTS, PLASTIC
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92