2SJ412详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片
- 供应商设备封装:TO-220FL
- 包装:管件
2SJ412(Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片
- 供应商设备封装:TO-220FL
- 包装:管件
2SJ412(SM,Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-220SM
- 包装:管件
2SJ412(TE24L,Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-220SM
- 包装:Digi-Reel®
2SJ412(TE24L,Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-220SM
- 包装:带卷 (TR)
2SJ412(TE24L,Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:210 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 10V
- 功率_最大:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-220SM
- 包装:剪切带 (CT)
- 固态 Panasonic Electric Works 8-SMD(0.300",7.62mm) RELAY OPTO AC/DC 60V 500MA 8-SMD
- 矩形 TE Connectivity 8-SMD(0.300",7.62mm) IDC CABLE - ASR14H/AE14M/ASR14H
- 数据采集 - 模数转换器 Analog Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ADC 12BIT SRL T/H HS 8-SOIC
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
- D-Sub TE Connectivity TO-220-3 整包 DSUB CABL-AFM09G/ AE10M / X
- PMIC - 稳压器 - 线性 Analog Devices Inc 16-VQFN 裸露焊盘,CSP IC REG LDO 1.8V .8A 16LFCSP
- 固态 Panasonic Electric Works 8-DIP(0.300",7.62mm) RELAY OPTO AC/DC 400V 100MA 8DIP
- 矩形 TE Connectivity 8-DIP(0.300",7.62mm) IDC CABLE - ASR20H/AE20M/ASR20H
- DIP Omron Electronics Inc-EMC Div 8-DIP(0.300",7.62mm) SWITCH ROTARY DIP 10POS SMD
- 微調器 Bourns Inc. TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRIMMER 2K OHM 0.75W TH
- D-Sub TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 DSUB CABL-AFM15G/ AE15M / X
- PMIC - 稳压器 - 线性 Analog Devices Inc 16-VQFN 裸露焊盘,CSP IC REG LDO 2.5V .8A 16LFCSP
- 矩形 TE Connectivity 16-VQFN 裸露焊盘,CSP IDC CABLE - ASR26H/AE26M/ASR26H
- DIP Omron Electronics Inc-EMC Div 16-VQFN 裸露焊盘,CSP SWITCH ROTARY DIP 10POS PCB
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML