2SK2299N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:450V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.1 欧姆 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 10V
- 功率_最大:30W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220FN
- 包装:散装
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS
- 保险丝 Littelfuse Inc 径向,罐状,垂直 FUSE 250MA 125V RADIAL FAST
- 电源输入 - 输入端,输出端,模块 Schurter Inc 径向,罐状,垂直 SOCKET PWR ENTRY 2POLE SCREW 8MM
- 晶体管(BJT) - 单路 Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
- 钽 Vishay Sprague 2312(6032 公制) CAP TANT 2.2UF 35V 10% 2312
- 微調器 Bourns Inc. 2312(6032 公制) TRIMMER 50K OHM 0.5W TH
- 微調器 Bourns Inc. 2312(6032 公制) TRIMMER 1M OHM 0.125W SMD
- 接线座 - 配件 - 跳线 Phoenix Contact 2312(6032 公制) BRIDGE TERM BLOCK 2POS
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP
- 钽 Vishay Sprague 2312(6032 公制) CAP TANT 2.2UF 50V 10% 2312
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 Wurth Electronics Inc 2312(6032 公制) GASKET FABRIC/FOAM 3X3MM D-SHAPE
- 微調器 Bourns Inc. 2312(6032 公制) TRIMMER 100 OHM 0.5W TH
- 微調器 Bourns Inc. 2312(6032 公制) TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD
- FET - 单 Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 15A TO-220SM
- 电源输入 - 输入端,输出端,模块 Schurter Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 SOCKET PWR ENTRY 1P 1.5MM SNAPIN