744032001详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.0UH .75A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1µH
- 电流:
- 额定电流:750mA
- 电流_饱和值:3.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 100 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
744032001详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.0UH .75A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1µH
- 电流:
- 额定电流:750mA
- 电流_饱和值:3.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 100 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
744032001详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.0UH .75A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1µH
- 电流:
- 额定电流:750mA
- 电流_饱和值:3.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 100 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
7440320015详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.5UH .66A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:660mA
- 电流_饱和值:2.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 130 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:75MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
7440320015详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.5UH .66A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:660mA
- 电流_饱和值:2.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 130 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:75MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
7440320015详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.5UH .66A 1210 SMD
- 系列:WE-LQ
- 制造商:Wurth Electronics Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:660mA
- 电流_饱和值:2.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 130 毫欧
- 不同频率时的Q值:20 @ 1MHz
- 频率_自谐振:75MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AA DIODE 0.5A 100V 50NS DO-213AA
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 水平式,4 L 形引线 RING CORE DBL CHOKE 33UH SMD
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 1.0UH .75A 1210 SMD
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 3V 250MW SOT23
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA DIODE ZENER 1.5W 62V SOT223
- FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 3.3PF 16V NP0 01005
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AA DIODE 0.5A 100V 50NS DO-213AA
- 固定式 EPCOS Inc 轴向 CHOKE RF 220UH 250MA AXIAL
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA DIODE ZENER 1.5W 62V SOT223
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 3V 225MW SOT-23
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 3.6PF 16V NP0 01005
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
- 固定式 EPCOS Inc 轴向 CHOKE RF 2.7UH 940MA AXIAL
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AA DIODE 0.5A 400V 50NS DO-213AA