B82462G4152M 全国供应商、价格、PDF资料
B82462G4152M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:3.1A
- 电流_饱和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 20 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82462G4152M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:3.1A
- 电流_饱和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 20 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82462G4152M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:1.5µH
- 电流:
- 额定电流:3.1A
- 电流_饱和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 20 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:100MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模块 CONVERT DC/DC 9-36VIN 15V@0.40A
- 未定义的系列 NXP Semiconductors 8-DIP 模块 TRANSISTOR PWR UHF LDMOS SOT467B
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 3M (TC) 非标准 COPPER NCKL COAT TAPE 3/4" X 2"
- 电容器 EPCOS Inc 33UF 25V 5X11 SINGLE END
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.33UF 1KVDC RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 38-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC BATT PROT LI-ION/POLY 38TSSOP
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模块 CONVERT 18-75VDC IN 15V@0.40A
- 保险丝 Bel Fuse Inc 5mm x 20mm FUSE FAST 250VAC 6.3A 5X20
- 电容器 EPCOS Inc 390UF 25V 10X20 SINGLE END
- USB 3M USB2.0 ASSY, TYPE A/ST - TYPE A
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.047UF 1KVDC RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC VOLT PROT LI-ION 16TSSOP
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模块 CONV DC/DC 6W +/-15VOUT DUAL
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR RF LDMOST