B82464G4153M 全国供应商、价格、PDF资料
B82464G4153M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:15µH
- 电流:
- 额定电流:2.75A
- 电流_饱和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 40 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:15MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82464G4153M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:15µH
- 电流:
- 额定电流:2.75A
- 电流_饱和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 40 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:15MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
B82464G4153M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:15µH
- 电流:
- 额定电流:2.75A
- 电流_饱和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 40 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:15MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0402
- 单二极管/整流器 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP AF 25V SOT-23
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2700PF 25V 5% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 7.0A SMD
- 单二极管/整流器 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE SW 300V 250MA SOD523
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP AF 25V SOT-323
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2700PF 50V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 45V 500MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 6.3V X5R 0402
- 晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 680UH .42A SMD