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BC638详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP GP 60V 0.5A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC638详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC638,112详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：管件

BC638,116详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC638,126详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC638BU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

C200H-ATTA3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） I/O LOCK BRACKT 10-SLOT
BC638,112
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92
C0603Y222K1RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 2200PF 100V 10% X7R 0603
BD1406STU
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126
C1362.18.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-225AA，TO-126-3 CBL 22/2COND 7/30 SPKR GRY 500’
C0603C0G1E4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201
C0805C470J1GACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 5% NP0 0805
C200H-ATTA3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） I/O LOCK BRACKT 10-SLOT
C1812C102JBGACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1000PF 630V 5% NP0 1812
C0603C0G1E4R7CTX
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201
C1363.46.02
多芯导线 General Cable/Carol Brand 0201（0603 公制） 2C/12 SPKR WIRE WHT 5000RL
BD15GA5WEFJ-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V .5A 8HTSOP-J
C0805C470J1GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 5% NP0 0805
C200H-B7A02
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） TERM BLOCK PLC 32POS OUTPUTS
C1812C102K2GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1000PF 200V 10% NP0 1812

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