BC639RL1G 全国供应商、价格、PDF资料

BC639RL1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：Digi-Reel®

BC639RL1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

BC639RL1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：625mW

频率_转换：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：剪切带 (CT)