BC858W,115 全国供应商、价格、PDF资料

BC858W,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70

包装：带卷 (TR)

BC858W,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70

包装：剪切带 (CT)

BC858W,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商设备封装：SC-70

包装：Digi-Reel®