BCM857BS,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
BCM857BS,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
BCM857BS,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
BCM857BS,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
BCM857BS,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
BCM857BS,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS PNP/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:2 PNP(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:175MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
- 保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 2.5A 250V FST GLASS 5X20 UL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 3900UF 400V
- 晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP DBL 65V 100MA 6TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 33PF 50V 1% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% X7R 0201
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc 1500UF 25V 12.5X20 SINGLE END
- 保险丝 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE .75A 250V FST GLASS 5X20 UL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 36-QFN IC GAS GAUGE FOR BQ29312 36-QFN
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 1.9PF 200V RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 33PF 100V 2% NP0 0603
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 25V 8X11.5 SINGLE END
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% X7R 0201
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 36-QFN IC GAS GAUGE FOR BQ29312 36-QFN
- 保险丝 Cooper Bussmann 轴向 FUSE TIME DELAY AXL 125V 4A