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BCW60D详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：125MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW60D,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW60D,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BCW60D,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BCW60D,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW60DT116详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 200MA SST3 TR; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：200mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V; 功率_最大：-; 频率_转换：125MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SST3; 包装：带卷 (TR)

C0402C620K5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0402
BGD902L,112
线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMPLIFIER POWER SOT-115J
BFC241845603
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.056UF 250VDC RADIAL
BCW60D,235
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
70D00103
配件 Storm Interface TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 KEYPAD KEYTOP LEG SET D NONILLUM
B32776E206K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 20UF 10% 1100V MKP
B32023B3224M
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.22U 20% 300V MKP Y2
C0603C150J5GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
BGE787B,112
线性 - 视频处理 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMP PUSH PULL SOT115J
BFC241846203
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.062UF 250VDC RADIAL
70D00103
配件 Storm Interface 径向 KEYPAD KEYTOP LEG SET D NONILLUM
B32776E4406K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 40UF 10% 450V MKP
C0603C150J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
C0402C680F5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 68PF 50V 1% NP0 0402
BGF 108C E6328
EMI/RFI（LC、RC 网络） Infineon Technologies 18-UFBGA，WLCSP IC FILTER/ESD PROT 7CH WLP-18

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