BFC242011004 全国供应商、价格、PDF资料
BFC242011004详细规格
- 类别：薄膜
- 描述：CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL
- 系列：420
- 制造商：Vishay BC Components
- 电容：0.1µF
- 电压_额定：
- 容差：±2%
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向
- 工作温度：-55°C ~ 85°C
- 特点：高频和高稳定性
- 包装：带卷 (TR)
- 尺寸/尺寸：0.689" L x 0.335" W（17.50mm x 8.50mm）
- 高度_座高（最大）：0.591"（15.00mm）
BFC242011004详细规格
- 类别：薄膜
- 描述：CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL
- 系列：420
- 制造商：Vishay BC Components
- 电容：0.1µF
- 额定电压_AC：160V
- 额定电压_DC：630V
- 电介质材料：聚丙烯，金属化
- 容差：±2%
- ESR（等效串联电阻）：-
- 工作温度：-55°C ~ 85°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向
- 尺寸/尺寸：0.689" L x 0.335" W（17.50mm x 8.50mm）
- 高度_座高（最大）：0.591"（15.00mm）
- 端子：PC 引脚
- 引线间隔：0.591"（15.00mm）
- 特点：高频和高稳定性
- 应用：-
- 包装：带卷 (TR)
- 断连开关元件 Cooper Bussmann 0603（1608 公制） TERMINL SHROUD 800A FOR BDNF800A
- 电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） HOLDER BATTERY 9V WITH LUGS
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.12UF 25V 10% X7R 0805
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC SCHMT TRIG BUFF/DVR 8B 20SOIC
- RF FET NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
- 陶瓷 Kemet 1825（4564 公制） CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1825
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-218-3 TRANS DARL NPN 100V 10A TO-218
- 电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) TO-218-3 HOLDER BATTERY 1/AA W/GOLD PINS
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.12UF 10V 10% X7R 0805
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1825（4564 公制） CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1825
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR NPN 60V 6A TO-220
- 电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) TO-220-3 HOLDER BATTERY 1-C CELL PC MOUNT
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 50V 5% NP0 0603
0755-83223003 
13910052844（微 
