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» 型号"BLF6G10LS-160RN:11"的供应信息
BLF6G10LS-160RN:11 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
BLF6G10LS-160RN:11详细规格
类别:RF FET
描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:LDMOS
频率:922.5MHz ~ 957.5MHz
增益:22.5dB
电压_测试:32V
额定电流:39A
噪音数据:-
电流_测试:1.2A
功率_输出:32W
电压_额定:65V
封装/外壳:SOT-502B
供应商设备封装:LDMOST
包装:托盘
BLF6G10LS-160RN:11供应商
BLF6G10LS-160RN:11
深圳诚思涵科技有限公司
0755-83015506
BLF6G10LS-160RN:11
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
BLF6G10LS-160RN:11
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
BLF6G10LS-160RN:11
深圳市鼎盛微射科技有限公司
0755-82860024
BLF6G10LS-160RN:11
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
查看更多BLF6G10LS-160RN:11的供应商
74HCT688D,653
逻辑 - 比较器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC COMPARATOR MAGNITUDE 20SOIC
C0805X472KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 630V 10% X7R 0805
BLM41PG102SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806(4516 公制) FERRITE CHIP 1K OHM 1500MA 1806
BLF6G10L-40BRN,118
RF FET NXP Semiconductors SOT-1112A TRANS LDMOS SOT1112A
C0603C510G5GALTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 51PF 50V 2% NP0 0603
BQ29410DCTT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP(0.11"?,2.80mm 宽) IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
74LVC3G14DP,125
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TRPL INV SCHMITT TRIG 8TSSOP
C2420A.38.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 5C/18 16/30TC UNSH TYPE CM
C0805X472KDRACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 1KV 10% X7R 0805
BLM41PG181SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806(4516 公制) FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806
C0603C510J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 51PF 100V 5% NP0 0603
BQ29411DCTR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP(0.11"?,2.80mm 宽) IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
C2422A.41.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 7-LSSOP(0.11"?,2.80mm 宽) CABLE 9COND 18AWG UNSHLD UL2464
74LVC3G14GN,115
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC INVERTER TRPL SCHMITT 8XSON
C0805X473K1RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.047UF 100V X7R 0805
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