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BSP315P-E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1.17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

BSP315P-E6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1.17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

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