BSS670S2L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS670S2L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS670S2L H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS670S2L H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS670S2L H6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS670S2L L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:540mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 270mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2.7µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/PINS
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 32POS PIN
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 模具 2C/18 SBC UNSH TYPE FPLR
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 21POS STRGHT W/SKT
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 5POS JAM NUT SCKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/PINS
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 66POS JAM NUT SKT
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 模具 4C/18 SBC UNSH TYPE FPLR
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 100POS SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/PINS
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS JAM NUT W/PINS