BSZ018NE2LSI 全国供应商、价格、PDF资料

BSZ018NE2LSI详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V

功率_最大：69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包装：Digi-Reel®

BSZ018NE2LSI详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V

功率_最大：69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包装：剪切带 (CT)

BSZ018NE2LSI详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 12V

功率_最大：69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包装：带卷 (TR)