BUK7907-55AIE 全国供应商、价格、PDF资料
BUK7907-55AIE,127详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:116nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
- 功率_最大:272W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-5
- 供应商设备封装:TO-220-5
- 包装:管件
BUK7907-55AIE,127详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:116nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
- 功率_最大:272W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-5
- 供应商设备封装:TO-220-5
- 包装:管件
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 33V 550MW SC-90
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 7500PF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 510PF 200V 5% NP0 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-5 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
- 通用嵌入式开发板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) Silicon Laboratories Inc TO-220-5 BOARD PROTOTYPE W/C8051F530
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 4.7V 550MW SC-90
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 5PF 400V RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5.1PF 50V NP0 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 4K FLASH 20QFN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 6.8V 550MW SC-90
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.016UF 2KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 5PF 250V RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-5 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB