BZX84C43-TP 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84C43-TP详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 350MW 43V SOT23
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:43V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 30.1V
- 容差:±5%
- 功率_最大:350mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:150 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
BZX84C43-TP详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 350MW 43V SOT23
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:43V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 30.1V
- 容差:±5%
- 功率_最大:350mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:150 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84C43-TP详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 350MW 43V SOT23
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:43V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:100nA @ 30.1V
- 容差:±5%
- 功率_最大:350mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:150 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:Digi-Reel®
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 420V
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 680UH 5%
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-204AC,DO-15,轴向 TRANSIL 400W 376V BIDIR DO-15
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 43V 225MW SOT-23
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1919(4848 公制) INDUCTOR POWER 22UH .925A SMD
- 专用 EPCOS Inc 1919(4848 公制) TRANSF GATE DRIVE 350UH SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE MCC FE 1UH 5%
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-204AC,DO-15,轴向 TRANSIL OVP CLAMPING 48V DO15
- 线路滤波器 EPCOS Inc DO-204AC,DO-15,轴向 FILTER POWER LINE 0.5A 250V
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1919(4848 公制) INDUCTOR POWER 33UH .82A SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE MCC FE 100UH 5%