D45H8 全国供应商、价格、PDF资料

D45H8详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP -60V -10A TO-220

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：50W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

D45H8详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 8A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：60W

频率_转换：40MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

D45H8详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 10A 80V TO220AB

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：40MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

D45H8G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 10A 60V TO220AB

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：40MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件