DDA124EU-7 全国供应商、价格、PDF资料
DDA124EU-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
DDA124EU-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
DDA124EU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
DDA124EU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
DDA124EU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-90,SOD-323F DIODE ZENER 9.07V 500MW SOD323F
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/SKT BOX
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 37POS FLANGED W/PIN
- IrDA 收发器模块 Sharp Microelectronics 4-SMD IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 5POS SKT
- 固定式 Johanson Technology Inc 0805(2012 公制) WIREWOUND INDUCTOR 6.8NH 0805
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER TRIPLE 13V SOT-363
- 嵌入式 - 微控制器, Renesas Electronics America 80-TQFP IC H8/38324 MCU FLASH 80TQFP
- IrDA 收发器模块 Sharp Microelectronics 4-SMD IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 37POS FLANGED W/PIN
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
- 固定式 Johanson Technology Inc 0805(2012 公制) WIREWOUND INDUCTOR 9NH 0805
- 单二极管/齐纳 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3
- 嵌入式 - 微控制器, Renesas Electronics America 100-BFQFP IC H8/38344 MCU FLASH 100-QFP