DMG214010R 全国供应商、价格、PDF资料

DMG214010R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI6

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：-

电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 5mA，10V / 210 @ 2mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：500nA，100µA

频率_转换：150MHz

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：迷你型6-G4-B

包装：Digi-Reel®

DMG214010R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI6

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：-

电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 5mA，10V / 210 @ 2mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：500nA，100µA

频率_转换：150MHz

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：迷你型6-G4-B

包装：带卷 (TR)

DMG214010R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI6

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：-

电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 5mA，10V / 210 @ 2mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：500nA，100µA

频率_转换：150MHz

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：迷你型6-G4-B

包装：剪切带 (CT)