DMG963H10R 全国供应商、价格、PDF资料

DMG963H10R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARR NPN/PNP W/RES SSMINI5

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 30 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：125mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-665

供应商设备封装：SSMini5-F4-B

包装：剪切带 (CT)

DMG963H10R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARR NPN/PNP W/RES SSMINI5

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 30 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：125mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-665

供应商设备封装：SSMini5-F4-B

包装：Digi-Reel®

DMG963H10R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARR NPN/PNP W/RES SSMINI5

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：47k，4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：47k，10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 30 @ 5mA，10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：125mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-665

供应商设备封装：SSMini5-F4-B

包装：带卷 (TR)