DTC143TM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:Digi-Reel®
DTC143TM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:带卷 (TR)
DTC143TM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:剪切带 (CT)
DTC143TMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:Digi-Reel®
DTC143TMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:剪切带 (CT)
DTC143TMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:带卷 (TR)
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 820UF 180V 20% SNAP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制)宽(长侧)0306(0816 公制) CAP CER 3300PF 50V 20% X7R 0306
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 2.7UH 5% SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723
- 晶体管(BJT) - 单路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-89,SOT-490 TRANS PNP 50V 100MA SSMINI3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) CAP CER 1UF 4V X7S 20% 0508
- 时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ECONOSCILLATOR 10MHZ 8-SOIC
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 820UF 180V 20% SNAP
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 47NH 5% SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) CAP CER 0.47UF 6.3V 20% X7R 0508
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 420V 20% SNAP
- 时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ECONOSCILLATOR 644MHZ 8-SOIC
- 单二极管/整流器 IXYS DO-203AA,DO-4,接线柱 DIODE AVAL 1200V 11A DO-203AA