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EPC2015 全国供应商、价格、PDF资料

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EPC2015详细规格

类别:FET - 单
描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 33A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 9mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 20V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模具剖面(11 焊条)
供应商设备封装:模具剖面(11 焊条)
包装:剪切带 (CT)

EPC2015详细规格

类别:FET - 单
描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 33A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 9mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 20V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模具剖面(11 焊条)
供应商设备封装:模具剖面(11 焊条)
包装:Digi-Reel®

EPC2015详细规格

类别:FET - 单
描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 33A,5V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 9mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 20V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模具剖面(11 焊条)
供应商设备封装:模具剖面(11 焊条)
包装:带卷 (TR)

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