FDFS2P102的供应信息|PDF资料|求购FDFS2P102上51电子网

FDFS2P102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDFS2P102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FDFS2P102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

FDFS2P102A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDFS2P102A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

FDFS2P102A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FGJ.2B.303.CLLD62Z
连接器，互连器件 LEMO TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 3CTS C-COL
ECQ-E2823RKF
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.082UF 250VDC RADIAL
GCC31DCAH-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .100 SLD
FDFMA3N109
FET - 单 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
GBC25DCMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100" WW
GRM0336T1E1R0CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1PF 25V T2H 0201
FFA.2S.310.CLAC77
连接器，互连器件 LEMO PLUG 10CTS C-COL
FGJ.2B.303.CYMD82Z
连接器，互连器件 LEMO TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 3CTS D-COL
GCC31DCMI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100" WW
GBC25DCMN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100" WW
FFA.3E.312.CLAC80Z
连接器，互连器件 LEMO PLUG 12CTS C-COL
GRM0336T1E1R2CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.2PF 25V T2H 0201
GRM1535C1H221JDD5D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 220PF 50V 5% NP0 0402
FGJ.2B.306.CYPD52
连接器，互连器件 LEMO TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 6CTS D-COL
ECQ-E2824RJB
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.82UF 250VDC RADIAL

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