FDMC86102的供应信息|PDF资料|求购FDMC86102上51电子网

FDMC86102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：965pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包装：Digi-Reel®

FDMC86102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：965pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包装：带卷 (TR)

FDMC86102详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 8-MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：965pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33; 包装：剪切带 (CT)

FDMC86102L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-MLP（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

FDMC86102L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-MLP（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

FDMC86102L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 50V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-MLP（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

MCR10EZHJ620
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 62 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
FCPF16N60NT
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
MA180028
配件 Microchip Technology MOD PLUG-IN PIC18F87K22 PIM
MAX1044CSA+
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG MULTI CONFIG 20MA 8SOIC
MCR01MRTJ474
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 470K OHM 1/16W 5% 0402 SMD
MAL203878479E3
电容器 Vishay BC Components 47UF 63V 6,3X11 85C 2500H
FAD1-12032CBAW12
风扇 - DC Qualtek FAN 120X32.3MM 12VDC BALL WIRE
MCR10EZHJ620
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 62 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
FCPF7N60NT
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
MCR01MZPF1004
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 1.00M OHM 1/16W 1% 0402 SMD
MAX1061BEEI+
数据采集 - 模数转换器 Maxim Integrated 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC ADC 10BIT 250KSPS 28-QSOP
MAL205647153E3
电容器 Vishay BC Components 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 15000UF 40V 20% SNAP
FAD1-12032CBHW12
风扇 - DC Qualtek FAN 120X32.3MM 12VDC BALL WIRE
MA180030
配件 Microchip Technology BOARD DEMO PIC18F47J13 FS USB
MAX203EWP+TG36
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Maxim Integrated 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC TXRX RS-232 W/CAP 20-SOIC

FDMC86102 全国供应商、价格、PDF资料