FDW2507N详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 7.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2152pF @ 10V
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
FDW2507NZ详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 7.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2152pF @ 10V
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000MHZ 18PF SMD
- 晶体 ECS Inc 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF CYL
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 6.19K OHM 1/8W .25% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.10 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 晶体 ECS Inc 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 25.000 MHZ 20PF SMD
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1.0UF 100V 10% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000MHZ 18PF SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 25.00000 MHZ 20PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.1 OHM 1W 5% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 6.80K OHM 1/8W .5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 100V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 0.27UF 100V 10% X7R 2225
- 晶体 ECS Inc 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 12.000MHZ 18PF SMD