FK26X7R1C106K 全国供应商、价格、PDF资料
FK26X7R1C106K详细规格
- 类别：陶瓷
- 描述：CAP CER 10UF 16V 10% RADIAL
- 系列：FK
- 制造商：TDK Corporation
- 电容：10µF
- 电压_额定：16V
- 容差：±10%
- 温度系数：X7R
- 安装类型：通孔
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 应用：通用
- 额定值：
- 封装/外壳：径向
- 尺寸/尺寸：
- 高度_座高（最大）：
- 厚度（最大）：
- 引线间隔：
- 特点：
- 包装：散装
FK26X7R1C106K详细规格
- 类别：陶瓷
- 描述：CAP CER 10UF 16V 10% RADIAL
- 系列：FK
- 制造商：TDK Corporation
- 电容：10µF
- 电压_额定：16V
- 容差：±10%
- 温度系数：X7R
- 安装类型：通孔
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 应用：通用
- 等级：-
- 封装/外壳：径向
- 大小/尺寸：0.217" L x 0.138" W（5.50mm x 3.50mm）
- 高度_安装（最大值）：0.236"（6.00mm）
- 厚度：
- 厚度（最大值）：-
- 引线间距：0.197"（5.00mm）
- 特性：-
- 包装：散装
- 故障率：
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.3PF 25V NP0 0201
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 10UF 16V 20% RADIAL
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 15-BQFN EVAL BOARD 1 FOR ISL8206
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM37H/AE37M/X
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064G/H2728TR 3"
- 存储器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 84-LFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 84FBGA
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 1.5UF 25V 10% RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.6PF 25V NP0 0201
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040R/H2730TR 3"
- 存储器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84TWBGA
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM37H/AE37G/X
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 10UF 16V 20% RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 8.1PF 25V NP0 0201
【0755-2381688 
171-4755-1968 
83209217 
13910052844（微 
0755-83258002 
