FQB10N60CTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:730 毫欧 @ 4.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2040pF @ 25V
- 功率_最大:3.13W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 47PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.68UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 4.7PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.68UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 250V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK