FQB13N06LTM 全国供应商、价格、PDF资料
FQB13N06LTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 6.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.1UF 500V 10% X7T 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 250V 20% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 49.9 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
075584505750 
171-4755-1968 
0755-/8321846 
0755-83777607 
010-62962871、 
0755-８２７８９２９６ 
010-62962871、 
075582788161 
0755-83039139 
