FQB1N60TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 欧姆 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 25V
- 功率_最大:3.13W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 100PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 51.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 180PF 250V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 59.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 330PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 4.7UF 100V 10% X7S 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK