HUF75639G3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247
- 包装:管件
HUF75639P3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
HUF75639S3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262AA
- 包装:管件
HUF75639S3S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:管件
HUF75639S3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263AB
- 包装:剪切带 (CT)
HUF75639S3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 56A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263AB
- 包装:Digi-Reel®
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE SCHOTTKY RF QUAD 70V SOT23
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EXTEND
- 连接器,互连器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RCPT 6POS FEMALE SLD PCB
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
- 配件 Molex Connector Corporation STEEL HOLE PLUG,NICKEL PLTD 3/4"
- 配件 RF Solutions BOARD DAUGHTER ICEPIC3
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 22PF 25V 5% X7R 0805
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET
- 配件 Molex Connector Corporation STEEL HOLE PLUG,NICKEL PLTD 3/4"
- 配件 RF Solutions BOARD DAUGHTER ICEPIC3
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 22PF 25V 5% X7R 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 连接器,互连器件 Hirose Electric Co Ltd CONN JACK 16POS MALE SOLDER