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HVCB2512FTD1M00详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 1M OHM 1% 2512 TF; 系列：HVC; 制造商：Stackpole Electronics Inc; 电阻333Ω444：1M; 功率333W444：2W; 成分：厚膜; 特性：高电压，脉冲耐受; 温度系数：±100ppm/°C; 容差：±1%; 封装/外壳：2512（6432 公制）; 供应商器件封装：2512; 大小/尺寸：0.250" L x 0.125" W（6.35mm x 3.18mm）; 高度：0.030"（0.76mm）; 端子数：2; 包装：带卷 (TR)

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CRCW120647M0JPEAHR
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 47M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
HVCB2010JKL150K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2010（5025 公制） RES 150K OHM 5% 2010 TF
HW-SPAR3A-SK-UNI-G
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Xilinx Inc KIT STARTER W/SPARTAN-3A
IDT7005L20J
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC（J 形引线） IC SRAM 64KBIT 20NS 68PLCC
HVCB2512FKC10M0
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES 10M OHM 1% 2512 TF
ESM08DRST
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD
IDT71421SA55JI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 52-LCC（J 形引线） IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC
HW-SPAR3-CPLD-DK
过时/停产零件编号 Xilinx Inc STARTER KIT BUNDLE SPARTAN3/CPLD
IDT7005L20PFGI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 20NS 64TQFP
IDT7142LA100P
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-DIP（0.600"，15.24mm） IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP
ESM08DRTH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
HW-SPAR3-CPLD-DK
过时/停产零件编号 Xilinx Inc STARTER KIT BUNDLE SPARTAN3/CPLD
IDT7005L20PFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 20NS 64TQFP
HVCB2512FTD5M00
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES 5M OHM 1% 2512 TF
CRCW120647R0FKEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 47.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

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