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IDT71P72804S167BQG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II; 存储容量：18M（1M x 18）; 速度：167MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：托盘

IDT71P72804S167BQGI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II; 存储容量：18M（1M x 18）; 速度：167MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：托盘

IDT71P72804S167BQGI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II; 存储容量：18M（1M x 18）; 速度：167MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：带卷 (TR)

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IDT71P72604S200BQG8
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IDTUS8030NDGI8
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OPA2333AIDGKR
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HVR3700001603JR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 160K OHM METAL FILM .50W 5%
NXFT15WF104FA2B100
热敏电阻 - NTC Murata Electronics North America 磁珠 THERMO STRNG 100K OHM 1%
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP VFB 280MHZ SGL SOT23-5
IDTUS8032DVG8
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC USB SWITCH DUAL SPST 8MSOP
OPA2333AIDGKR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP CHOP R-R 350KHZ 8MSOP
ICS557G-03LFT
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CLK SOURCE PCI EXPRSS 16TSSOP
HVR3700001605JR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 16M OHM METAL FILM .50W 5%
NXN0.63GN25
螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 模块 NOMEX SLEEVING 5/8" GREEN 25’
NOSV477M006R0075
氧化铌 AVX Corporation 2924（7361 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924

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