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IDT71P72804S200BQ8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步，QDR II; 存储容量：18M（1M x 18）; 速度：200MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：165-TBGA; 供应商器件封装：165-CABGA（13x15）; 包装：带卷 (TR)

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IDT71P72804S200BQ
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GRM2167U1H270JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 27PF 50V 5% U2J 0805
IDT70V9379L7PRF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 576KBIT 7NS 128TQFP
IDCP2218ER330M
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 33UH 0.88A SMD
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时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC PCIE GEN2 MAIN CLOCK 56-TSSOP
IDT74LVC541AQG8
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ICS844002AGLFT
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SYNTHESIZER 2LVDS 20-TSSOP
GRM2167U1H431JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 430PF 50V 5% U2J 0805

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