IMC1812BN100J 全国供应商、价格、PDF资料
IMC1812BN100J详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
- 系列：IMC-1812
- 制造商：Vishay Dale
- 类型：铁粉芯
- 电感：10µH
- 电流：
- 额定电流：250mA
- 电流_饱和值：-
- 容差：±5%
- 材料_磁芯：铁粉
- 屏蔽：无屏蔽
- DC电阻333DCR444：最大 1.6 欧姆
- 不同频率时的Q值：50 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振：20MHz
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 封装/外壳：1812（4532 公制）
- 大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：散装
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD，鸥翼型 PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 330NH 10% 1210
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 15V SOD123
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 5.5MHZ DUAL LN 8SOIC
- 功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE DPST 3A 12V
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
- FET - 单 ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 15V 500MW SOD-123
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP CMOS 5.5MHZ DL 8SOIC
- 脱焊条，Wick 型 Easy Braid Co. 圆柱形，扁平端子（螺栓） BRAID NO-CLEAN BLUE .100" X 5’
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
0755-22929859 
171-4729-9698 
