IRF2903ZLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6320pF @ 25V
- 功率_最大:231W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
- 接线座 - 配件 - 导线金属环 Panduit Corp 48-TSOP FERRULE NON INS 14AWG 9/32"
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 196 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 390UH 5% 1812
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .156 WW
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 t-Global Technology 64-TQFP EMI ABSORBER TIM 0.2MM W/ADH
- 接线座 - 配件 - 导线金属环 Panduit Corp 48-TSOP FERRULE NON INS 12AWG 19/32"
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 t-Global Technology 64-TQFP EMI ABSORBER TIM 0.5MM W/ADH
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.00K OHM 1W 1% 2512 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 3.9UH 10% 1812
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 t-Global Technology 64-TQFP EMI ABSORBER TIM 0.75MM W/ADH
- 接线座 - 配件 - 导线金属环 Panduit Corp 径向,圆盘 FERRULE NON INS 8AWG 25/32"
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 t-Global Technology 64-TQFP EMI ABSORBER TIM 0.5MM W/ADH
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.0K OHM 1W 5% 2512 SMD